当連結会計年度における研究開発活動におきましては、当社経営基本方針に掲げる「エンジニアリングアプローチによる製品事業の付加価値向上」「受託事業からエンジニアリングサービス事業への転換」「早い変化と多様性に対応できる経営基盤の整備」に基づき進めてまいりました。

　当社では、受託事業においてSiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)などの次世代半導体材料・ウェーハの加工や結晶評価の研究開発に取り組んでまいりました。製品事業においては、ハードディスクメディアや光ファイバー、半導体検査用プローブカード、プリント基板などのハイテク用途向け研磨材および環境に配慮した研磨材など高付加価値品の研究開発を中心に取り組んでまいりました。

　この結果、当連結会計年度における当社グループの研究開発費は158百万円となりました。

　主な研究開発活動は次のとおりであります。

（製品事業）

(1) ハードディスク関連

　次世代熱アシスト磁気記録メディアに対応するため、新たな研磨材、バインダー、および塗布技術を用いて研磨フィルムの開発に取り組んでまいりました。

(2) 光ファイバー関連

　米国における光ネットワークインフラの整備や生成AIを支えるデータネットワーク設備の拡充によるデータセンター用コネクタ市場の活況を受け、同コネクタ向けの初期工程用の粗研磨フィルムから最終仕上げ用の精密研磨フィルムおよび研磨スラリーの開発に注力してまいりました。

(3) 一般研磨関連

　一般研磨関連製品では、次世代半導体パッケージ向けとする研磨ホイールの開発を進めてまいりました。次世代半導体パッケージでは大型化が進んだことによる反りの問題を解決するために、熱膨張係数の低い材料(低CTE材料)が積極的に採用されております。この低CTE材料の一部は非常に高硬度であり、従来の研磨ホイールでは十分な研磨レートが得られませんでした。今後の需要拡大が見込まれる低CTE材料を採用した次世代半導体パッケージへの対応として、研磨力向上を図った不織布ホイールの開発を進めております。

　また、労働環境に関する法令の厳格化に伴い、より安全性に配慮した製品の開発にも取り組んでまいりました。2024年4月1日から適用された労働安全衛生法の一部改正にともない主要研磨材であるGC砥粒(炭化ケイ素)が発がん性区分1Bに分類されたことにより、作業環境改善に対する関心は近年急速に拡大しております。このようなニーズの高まりに応える最初の取り組みとして、発がんリスクのない研磨布紙のラインナップ拡充を進めております。

　この結果、当連結会計年度における製品事業の研究開発費は96百万円となりました。

（受託事業）

　国立研究開発法人からの助成を受け、昨年から継続して溶液法SiC結晶の内部欠陥を観察する装置を開発してまいりました。大学との共同研究開発成果についても国内外の学会発表等を積極的に行い認知も向上しており、今後はこれらの成果をベースとしたビジネスモデルを構築してまいります。また、経済産業省グリーンイノベーション基金、次世代デジタルインフラの構築に参画し、「超高品質・８インチ・低コストSiCウェーハ開発」活動を行っております。「大口径ウェーハ用ラインの開発」「ウェーハ加工工数削減技術の開発」「溶液法結晶の評価技術の確立」の３項目でそれぞれ年度の開発目標を設定し、2024年度は目標を達成しております。これら研究開発した技術を用いて、8インチ用SiC加工ライン、評価装置の提供を今後計画してまいります。

　また、前年度から引き続き、8インチSiCウェーハ市場向けアプリケーションに重点を置いた開発を進めてまいりました。専用研磨フィルムの開発と平行し、本用途に適した仕様を有する新型ノッチ/エッジ研磨装置の開発に着手し、同装置を活用した新たな水準での受託研磨加工サービス提供に向け、準備を進めております。

　この結果、当連結会計年度における受託事業の研究開発費は62百万円となりました。