当社グループは、総合砥粒加工機メーカーとして顧客の高精度/高能率要求に対応していくため、「究極の平面創成」をスローガンに、平面加工（研削・研磨）の分野において世界最高峰の技術を目指すことを主要な開発テーマとしております。

　当連結会計年度における研究開発費の総額は132百万円であります。

　また、当社グループの研究・開発・技術スタッフは135名で、全従業員の6.0％に当たります。

　なお、セグメント別の状況は次のとおりであります。

(1) 工作機械

　当社の主力商品である平面研削盤関連におきましては、さらなる超精密・高精度の実現を目指し、高次元かつ安定的な商品品位を確立するため、設計のクオリティーのみならず部品加工及び組立工程における技術の向上を図りながら、各種テーブルサイズのシリーズ化と静圧スピンドル、静圧スライド搭載機の拡充に継続して取り組んでおります。

　新カバーデザイン、対話型汎用ソフトのグラフィックデザインを含め操作性の向上を図りながら、すべての機構において設計再検討を行った中型平面研削盤のマイナーチェンジモデルPSG126CA-iQ、PSG127CA-iQを市場投入し、大型ワークサイズ要求に対応するべく、テーブルサイズ1,500mmのPSG156CA-iQ、PSG157CA-iQ、2,000mmのPSG206CA-iQ、PSG207CA-iQをラインナップに加えシェア拡大を図っております。

　立軸ロータリ研削盤「VRGシリーズ」は、複数の被削材を並べて同時寸法合わせ等の高能率研削に最適な研削盤として、歯車、セラミックス、油圧部品をターゲットに拡販を目指しており、ロータリテーブルΦ600mmに加え、Φ1,000mmの開発が完了しました。また、グライディングセンタ「UGM64GC」は、平面研削加工では不可能な部分への加工を可能とする半導体難削材対応の研削盤として新たな市場の開拓を進めており、ロボットでのワーク搬入搬出自動化仕様の開発を完了し、お客様への新規提案を開始しました。さらに、今後、半導体関連で需要が増えると予想されるSiC（炭化ケイ素）のインゴットの専用研削盤の開発に着手しました。

　当セグメントに係る研究開発費は30百万円であります。

(2) 半導体関連装置

　半導体デバイスウエーハ関連におきましては、科学技術振興機構（JST）の支援プログラムにて採択されたSi貫通電極ウエーハ全自動研削盤の計画につきましては2024年10月に開発結果の成功認定を受けました。

　また、材料シリコンウエーハ用加工機においては、様々な顧客ニーズに対応するため、ラインナップの充実を図るとともに新規装置の開発にも着手しております。さらにシリコン以外の特殊材料関連においても、EV関連で大きく飛躍が予想されるパワー半導体のSiC（炭化ケイ素）、スマートフォンに採用されているSAWフィルター用のLT（リチウムタンタレート）やLN（リチウムニオベート）、高出力照明、5G基地局電源用のGaN（窒化ガリウム）専用の高能率研削盤ポリッシュ盤の開発を進めるとともに、車載向けGPU（画像処理）に広く使用されているパッケージ基板用研削盤の開発にも着手しております。

　当セグメントに係る研究開発費は102百万円であります。