小型化及び性能向上した、最新世代UFS4.0フラッシュメモリ製品

2024年４月

当社従来製品比でパッケージサイズを約18％縮小し、性能向上した最新世代のUFS4.0組み込み式フラッシュメモリ製品のサンプル出荷を開始。5G高速ネットワークに対応したハイエンド・スマートフォンを含むさまざまな次世代モバイル機器に適した製品。

ノックスライド式デザインのUSBフラッシュメモリ

2024年４月

ワンプッシュで簡単にコネクタを格納できるノックスライド式デザインの使いやすいUSBフラッシュメモリ「TransMemory U304シリーズ」を発売。

ゲーマー向けヒートシンク付きSSDの発売

2024年６月

パーソナル向けヒートシンク付きSSDである「EXCERIA with Heatsink SSDシリーズ」を発売。ヒートシンクを標準搭載し、優れた放熱機能を備えSSDが発熱しやすいゲーミング環境でも温度上昇を抑える製品。

当社のSSD「KIOXIA CM7シリーズ」とXinnor社のRAIDソフトウェアを組み合わせたPCIe 5.0対応高速ストレージソリューションの構築

2024年６月

PCIe® 5.0対応NVMe™ SSD「KIOXIA CM7シリーズ」とXinnor社のRAIDソフトウェア「xiRAID Opus」との間の互換性と相互運用性の確保及び、性能向上のためのチューニングをすることで、高速ストレージソリューションを構築。ベンチマーク試験において、生成AI などで使われるPostgreSQLデータベースの実行性能を、標準のソフトウェアベースのRAIDソリューションと比較して最大約25倍※向上。オンプレミスのサーバーにおけるAI、データアナリティクスなどのミッションクリティカルなアプリケーションの性能向上に貢献。

※ Linux環境での標準RAIDソフトウェアソリューション（mdraid / mdadm）における RAID縮退時（ドライブ１台故障状態でのデータベース読み出し時）との比較。

業界最大容量となる第８世代BiCS FLASH™ ２Tb QLC製品のサンプル出荷を開始

2024年７月

従来製品の第５世代QLC製品と比較して、ビット密度が約2.3倍、書き込み電力効率は約70%と大幅に向上。２Tbのチップをひとつのパッケージ内に16段積層することにより、パッケージあたり業界最大容量となる４TB（テラバイト）の容量を実現。サイズは11.5 x 13.5mm、高さは1.5mm。

光インターフェース採用の広帯域SSDをFMS(The Future of Memory and Storage)に出展

2024年８月

データセンター内に設置される機器の電気配線を光配線化することにより、高い信号品質の確保、デバイス間の物理的距離の大幅な拡大、並びに省電力化を実現。NEDOの助成事業「グリーンイノベーション基金事業／次世代デジタルインフラの構築／次世代グリーンデータセンター技術開発」の成果。

SSD向けRAIDオフロード技術がFMSでBest of Show Awardを受賞

2024年８月

データ保護に用いるRAIDパリティの計算をSSD側で提供。

ホストのCPU、メモリ、キャッシュ等のリソースの主要アプリケーション高速化に割り当て、システム全体の性能向上と省電力化に貢献。

株式会社モーデックと共同で業界初となる立体構造物の高周波特性測定用プロービングシステムを開発

2024年９月

３次元プロービング技術を開発し、従来は直接評価できなかった立体構造を持つ伝送線路の高周波特性を、110GHzまで評価可能とした。

クラウド及びハイパースケールデータセンター向けPCIe® 5.0対応NVMe EDSFF E1.S SSDのサンプル出荷

2024年10月

PCIe® 5.0対応SSD「KIOXIA XD8シリーズ」の評価用サンプルを出荷。EDSFF E1.Sのフォームファクターを採用し、優れた性能と熱管理を実現。容量は1.92、3.84、7.68 TBをラインアップ。

QLC技術を採用したUFS4.0フラッシュメモリ製品の量産開始

2024年10月

QLC（４ビット／セル）技術を採用したUFS4.0組み込み式フラッシュメモリ製品の量産開始。コントローラー技術とエラー訂正により、性能と容量のバランスを実現。512GBで最大4,200MB/sのシーケンシャルリード性能と最大3,200MB/sのシーケンシャルライト性能。

酸化物半導体を用いた新しいDRAM（OCTRAM）技術を発表

2024年12月

縦型に円筒形で形成された酸化物半導体（InGaZnO）トランジスタをDRAMのセルトランジスタに採用。従来のシリコントランジスタを用いた6F2 レイアウトのDRAMより大容量化が可能となる4F2 レイアウトを採用。AIやポスト5G情報通信システムで利用される大規模メインメモリが搭載されるサーバーやIoT製品などの低消費電力化を目指す技術。

大容量クロスポイント型MRAM技術を発表

2024年12月

大容量化に適したセレクタ（選択素子）と磁気トンネル接合を組み合わせたセル技術と、クロスポイント型アレイの微細加工技術を適用し、セルハーフピッチ20.5ナノメートルにおいて、セルの読出・書込動作を実現。

水平セル積層構造による次世代3次元フラッシュメモリ技術を発表

2024年12月

従来の垂直方向にNAND型セルを連ねた構造に対して、NAND型セルを水平方向に配置し積層した、新しい３次元構造を採用し、セル性能の劣化の抑制と信頼性改善を図る技術。

生成AIの回答精度向上に貢献するSSDを活用したソフトウェア技術「KIOXIA AiSAQ™」をオープンソースとして公開

2025年１月

外部データを活用して推論を強化するRAG(検索拡張生成)におけるベクトル探索において、インデックス化されたデータをSSDに配置した大規模なデータベースを検索することで、RAGシステムの回答精度の向上を図るソフトウェア。

4.8Gb/秒のNANDインターフェーススピードを実現する次世代の３次元フラッシュメモリ技術を発表

2025年２月

第８世代「BiCS FLASH™」と比較してNANDインターフェース速度は33％の向上となる4.8Gb／秒を実現。またデータ入出力の電力効率を改善。これらの技術を導入する第10世代「BiCS FLASH™」は、積層数を332層に増やし、平面方向の高密度化もすることでビット密度が59％向上。

生成AI向け大容量122.88 TBのエンタープライズSSDの試作品を展示

2025年３月

122.88 TBのNVMe™ エンタープライズSSD「KIOXIA LC9シリーズ」の試作品の参考展示を開始。第８世代「BiCS FLASH™」の２ Tb QLCのダイを使用した初めてのSSD。2.5インチ型のフォームファクターを採用。