当社グループの研究開発体制は、おもに基礎研究および応用技術開発を担当する技術開発センターと、商品開発を担当する各事業部門およびグループ会社の設計・開発部門で構成しております。

　企業ミッションである「エネルギーの変換効率を極限まで追求することにより、人類と社会に貢献する」のもと、技術開発センターでは当社グループの主要事業領域に新たな技術を移管していく取り組みを続けております。半導体デバイス分野においては、低損失技術の開発、高速・高温動作対応および複合部品化の実装技術開発を主要テーマとして取り組んでいます。パワーエレクトロニクス分野においては、主に高効率技術、高密度実装技術および低ノイズ化の研究開発を推進しています。さらに、新たな事業領域を広げていくためロボティクスなど新規分野への取り組みも行っております。これらの研究課題を解決し、当社のコア技術を活かしたシナジー効果により商品力強化を図るとともに、市場の要求や用途に適した新商品・新技術をタイムリーに開発してまいります。

　当連結会計年度におけるグループ全体の研究開発費の総額は4,677百万円（売上高比4.6％）であり、各セグメントの主な成果および研究開発費は以下のとおりであります。

（デバイス事業）

　当セグメントの研究開発活動として、ダイオードは1000Vの大電流対応ブリッジダイオードや超高効率なブリッジダイオードの新製品の開発を実施しました。さらにウェーハ大口径化かつ低コスト化を実現する新構造の技術開発を継続して推進しています。またサイリスタ製品でも、高性能な新構造の新製品の開発を実施しました。

MOS製品では、車載用LFパッケージの１素子搭載品、２素子搭載品それぞれで、耐圧や電流の豊富なバリエーションの新製品シリーズの開発を実施しました。さらに低ノイズかつ低Ronな新構造第１世代の新製品の開発を実施したほか、第２世代となる新構造の技術開発を推進しています。またSiやSiCのMOSとして高耐圧となる1200～1700Vに対応し、ケルビン端子を搭載する面実装新パッケージの技術開発を推進しています。

　パワーモジュール製品では、xEV向けDCDCコンバータ用のMOSモジュール開発を実施したほか、各種モータのインバータ用のMOSモジュール開発を実施しています。くわえてディスクリート製品では特性実現が難しいSiダイオードやSiCMOSチップを搭載した新規構造の新モジュール開発を推進しています。

IC製品では、車載向けを中心に、中耐圧のモータドライバーICの開発を実施したほか、理想ダイオードと呼ぶ出力部を内蔵するICやコントロール部だけのICの開発を実施しました。

　当事業に係る研究開発費は1,826百万円であります。

（電装事業）

　当セグメントの研究開発活動として、二輪分野では、脱炭素への対応として内燃機関製品に対し環境規制OBDⅡ対応への技術開発を継続し、電動車向け製品ではモータ駆動関連技術としてレゾルバセンサや三相電流センサを用いたソフト制御技術の確立を行いました。

　四輪分野では、プラットフォーム電源の車両要求信頼性を確保するための技術確立とラインナップ拡充として防水タイプの開発に取り組みました。

　汎用分野では、インバータ製品の小型・大電力化への先行技術としてGaNデバイスを使用した並列安定動作の技術確立を推進しました。

　また、共通実装技術としては、接続技術の向上として超音波金属接合やギ酸を用いたはんだ付けの要素開発に取り組み、各種データを取得することで製品への適用検討を行いました。

　当事業に係る研究開発費は541百万円であります。

（その他）

　当セグメントの研究開発活動として、EV・PHEV用充電器では、高出力急速充電器の製品ラインナップを拡充しました。その他に普通充電器の高出力製品を開発し、量産の準備を開始しました。

　情報・通信市場分野では、高効率・小型化した小容量48V電源装置の製品を開発し、量産を開始しました。共通技術として小型・高効率化に向けた電源変換部の技術開発を継続推進しました。

　当事業に係る研究開発費は467百万円であります。

（全社共通）

　全社共通に係る研究開発費は1,841百万円であります。